Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2GHE3/52T

KEY Part #: K6446378

[1786個在庫]


    品番:
    ES2GHE3/52T
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2GHE3/52T electronic components. ES2GHE3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2GHE3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2GHE3/52T 製品の属性

    品番 : ES2GHE3/52T
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
    電流-平均整流(Io) : 2A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 2A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
    静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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