Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2GHE3/52T

KEY Part #: K6446378

[1786個在庫]


    品番:
    ES2GHE3/52T
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2GHE3/52T 製品の属性

    品番 : ES2GHE3/52T
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
    電流-平均整流(Io) : 2A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 2A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
    静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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