GeneSiC Semiconductor - GC08MPS12-252

KEY Part #: K6433100

詳細な説明:: SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 8A TO-252-2

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 electronic components. GC08MPS12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC08MPS12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : GC08MPS12-252

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V

電流-平均整流（Io） : 40A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.8V @ 8A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 7µA @ 1200V

静電容量@ Vr、F : 545pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252-2

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません

BAS16WT-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mA 75V
V3FM10HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

3A100VSMFTRENCH SKY RECT..
V2FM12HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

2A120VSMFTRENCH SKY RECT..
V3FL45HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

3A45VSMFTRENCH SKY RECT..
V3FM12HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

3A120VSMFTRENCH SKY RECT..
SS2FH10HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified

ホットパーツ