メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
180mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
2.5V, 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
8 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.1V @ 250µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
27pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)