Samsung Semiconductor - K4F2E3S4HM-MHCJ

KEY Part #: K7359760

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    品番:
    K4F2E3S4HM-MHCJ
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、LPDDR5, DDR3, HBM Flarebolt, GDDR5, LPDDR3, GDDR6, LPDDR4 and LPDDR4Xを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F2E3S4HM-MHCJ electronic components. K4F2E3S4HM-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F2E3S4HM-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F2E3S4HM-MHCJ 製品の属性

    品番 : K4F2E3S4HM-MHCJ
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 12 Gb
    組織。 : x32
    速度 : 3733 Mbps
    電圧 : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    温度。 : -40 ~ 105 °C
    パッケージ : 200FBGA
    製品ステータス : Mass Production

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