GeneSiC Semiconductor - GKR26/12

KEY Part #: K6444764

GKR26/12 価格設定(USD) [2338個在庫]

  • 100 pcs$2.50741

品番:
GKR26/12
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GKR26/12 electronic components. GKR26/12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GKR26/12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GKR26/12 製品の属性

品番 : GKR26/12
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 25A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.55V @ 60A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 4mA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 180°C
あなたも興味があるかもしれません
  • BYM13-30-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM

  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

  • SS210-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM

  • GI818-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

  • SS5P10HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V SM Schottky Rect