Rohm Semiconductor - RR2L6SDDTE25

KEY Part #: K6444680

RR2L6SDDTE25 価格設定(USD) [416761個在庫]

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品番:
RR2L6SDDTE25
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS. Rectifiers NPN Driver Transistor
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RR2L6SDDTE25 製品の属性

品番 : RR2L6SDDTE25
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Not For New Designs
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 2A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : PMDS
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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