S1FLD-GS18 価格設定（USD） [1850809個在庫]
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- 品番:
- S1FLD-GS18
- 詳細な説明:
- DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1FLD-GS18 electronic components. S1FLD-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1FLD-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1FLD-GS18 製品の属性
品番 :
S1FLD-GS18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GP 200V 700MA DO219AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
700mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.8µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
4pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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