[1136個在庫]
- 品番:
- 1N4447TR
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V DO35.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 1N4447TR electronic components. 1N4447TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4447TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4447TR 製品の属性
品番 :
1N4447TR
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 100V DO35
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
-
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
-
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
-
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-35
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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