HGTP12N60A4D 価格設定（USD） [31809個在庫]
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- 品番:
- HGTP12N60A4D
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 54A 167W TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGTP12N60A4D electronic components. HGTP12N60A4D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP12N60A4D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTP12N60A4D 製品の属性
品番 :
HGTP12N60A4D
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
54A
電流-パルスコレクター（Icm） :
96A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 12A
パワー-最大 :
167W
スイッチングエネルギー :
55µJ (on), 50µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
78nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
17ns/96ns
試験条件 :
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
30ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
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