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GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-263

KEY Part #: K6399113

GA10JT12-263 価格設定（USD） [4640個在庫]

  • 1 pcs$10.16943
  • 10 pcs$9.24469
  • 25 pcs$8.55122
  • 100 pcs$7.47449
  • 250 pcs$6.81498
品番:
GA10JT12-263
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
TRANS SJT 1200V 25A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 electronic components. GA10JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA10JT12-263 製品の属性

品番 : GA10JT12-263
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : TRANS SJT 1200V 25A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 10A
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1403pF @ 800V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 170W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -
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