GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-263

KEY Part #: K6399113

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

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品番 : GA10JT12-263

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : TRANS SJT 1200V 25A

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : -

技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 10A

Vgs（th）（最大）@ Id : -

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

Vgs（最大） : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1403pF @ 800V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 170W (Tc)

動作温度 : 175°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : -

パッケージ/ケース : -

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