Microsemi Corporation - JANTXV1N6629US

KEY Part #: K6447637

JANTXV1N6629US 価格設定(USD) [3501個在庫]

  • 1 pcs$13.67618
  • 100 pcs$13.60814

品番:
JANTXV1N6629US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6629US electronic components. JANTXV1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6629US 製品の属性

品番 : JANTXV1N6629US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 1.4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.4V @ 1.4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 60ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 40pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, E
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

  • EGL34GHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.