Microsemi Corporation - JAN1N5622US

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JAN1N5622US 価格設定(USD) [7764個在庫]

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品番:
JAN1N5622US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5622US 製品の属性

品番 : JAN1N5622US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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