RGL41KHE3_A/I 価格設定（USD） [607281個在庫]
- 1 pcs$0.06091
- 品番:
- RGL41KHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,800V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL41KHE3_A/I electronic components. RGL41KHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL41KHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGL41KHE3_A/I 製品の属性
品番 :
RGL41KHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
500ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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