Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS360HE3_A/H

KEY Part #: K6456986

MURS360HE3_A/H 価格設定(USD) [287589個在庫]

  • 1 pcs$0.12861
  • 1,700 pcs$0.11807

品番:
MURS360HE3_A/H
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 600V 50ns 35 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MURS360HE3_A/H electronic components. MURS360HE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURS360HE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS360HE3_A/H 製品の属性

品番 : MURS360HE3_A/H
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.28V @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 3V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-6EVL06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.