Microsemi Corporation - JANTXV1N6641

KEY Part #: K6431733

JANTXV1N6641 価格設定（USD） [7247個在庫]

1 pcs$5.71480
145 pcs$5.68637

品番:: JANTXV1N6641

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6641 electronic components. JANTXV1N6641 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6641, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANTXV1N6641 製品の属性

品番 : JANTXV1N6641

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/609

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V

電流-平均整流（Io） : 300mA

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 200mA

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 5ns

電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : D, Axial

サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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