Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2309CX RFG

KEY Part #: K6418443

TSM2309CX RFG 価格設定(USD) [882111個在庫]

  • 1 pcs$0.04193

品番:
TSM2309CX RFG
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM2309CX RFG electronic components. TSM2309CX RFG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM2309CX RFG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2309CX RFG 製品の属性

品番 : TSM2309CX RFG
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 425pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.56W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.