FJV3110RMTF 価格設定（USD） [2390629個在庫]
- 1 pcs$0.01547
- 21,000 pcs$0.01144
- 品番:
- FJV3110RMTF
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FJV3110RMTF electronic components. FJV3110RMTF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FJV3110RMTF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FJV3110RMTF 製品の属性
品番 :
FJV3110RMTF
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
40V
抵抗-ベース（R1） :
10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
-
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
250MHz
パワー-最大 :
200mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FJNS3201RBU
- FJNS3205RBU
- FJN4308RBU
- PDTC115TK,115
- PDTC114YEF,115
- UNR911EJ0L
- PDTC144WE,115
- UNR421300A
- UNR32A500L
- DDTC123JE-7
- UNR911FG0L
- FJX4014RTF
- PDTC143ZE,115
- PDTD123YK,115
- PDTA114YK,115
- PDTC143XUF
- RN2101ACT(TPL3)
- RN2104CT(TPL3)
- DDTC114EKA-7-F
- UNR32AAG0L
- DDTC115EKA-7-F
- DDTA143EKA-7-F
- DDTA114YKA-7-F
- UNR5112G0L
- MUN5216T1
- MUN5113T1
- FJY3006R
- BCR 169L3 E6327
- DTB713ZETL
- PBRN113ZT,215
- DTA144TETL
- PDTD113ZUX
- DTA143ZEBTL
- DTA143TUAT106
- PDTC124ET,215
- PDTC115TT,215
- DTC124EKAT246
- PDTA123EU,115
- PDTA124EU,135
- PDTC124EU,135