Microsemi Corporation - 1N5917A

KEY Part #: K6479768

1N5917A 価格設定(USD) [30089個在庫]

  • 1 pcs$1.36969

品番:
1N5917A
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
ZENER DIODE. Zener Diodes Zener Diodes
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5917A electronic components. 1N5917A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5917A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5917A 製品の属性

品番 : 1N5917A
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : ZENER DIODE
シリーズ : *
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : -
公差 : -
パワー-最大 : -
インピーダンス(最大)(Zzt) : -
電流-Vrでの逆漏れ : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
パッケージ/ケース : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -

あなたも興味があるかもしれません
  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • MMBD7000-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM