IGB50N65S5ATMA1 価格設定（USD） [43143個在庫]
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- 品番:
- IGB50N65S5ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT PRODUCTS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IGB50N65S5ATMA1 electronic components. IGB50N65S5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGB50N65S5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGB50N65S5ATMA1 製品の属性
品番 :
IGB50N65S5ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT PRODUCTS
シリーズ :
TrenchStop™ 5
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
80A
電流-パルスコレクター（Icm） :
200A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.7V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
270W
スイッチングエネルギー :
1.23mJ (on), 740µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
120nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
20ns/139ns
試験条件 :
400V, 50A, 8.2 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3
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