Toshiba Semiconductor and Storage - RN1102T5LFT

KEY Part #: K6526838

[3031個在庫]


    品番:
    RN1102T5LFT
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT electronic components. RN1102T5LFT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1102T5LFT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1102T5LFT 製品の属性

    品番 : RN1102T5LFT
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
    抵抗-エミッターベース(R2) : 10 kOhms
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 50 @ 10mA, 5V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
    頻度-遷移 : 250MHz
    パワー-最大 : 100mW
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SC-75, SOT-416
    サプライヤーデバイスパッケージ : SSM

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