GeneSiC Semiconductor - MUR10060CT

KEY Part #: K6468987

MUR10060CT 価格設定(USD) [1302個在庫]

  • 1 pcs$33.27217
  • 25 pcs$22.64054

品番:
MUR10060CT
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MUR10060CT electronic components. MUR10060CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR10060CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR10060CT 製品の属性

品番 : MUR10060CT
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 100A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 50A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 110ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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