Infineon Technologies - IRLR3715ZTR

KEY Part #: K6413018

[13245個在庫]


    品番:
    IRLR3715ZTR
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 49A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR3715ZTR electronic components. IRLR3715ZTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3715ZTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR3715ZTR 製品の属性

    品番 : IRLR3715ZTR
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 49A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.55V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 810pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 40W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVP2110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

    • MPF990

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 90V 2A TO-92.

    • MPF960

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 2A TO-92.

    • BS170RLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • VN0300L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • VN2222LL

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.