Vishay Semiconductor Diodes Division - FEPB16BT-E3/81

KEY Part #: K6479153

FEPB16BT-E3/81 価格設定(USD) [89254個在庫]

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品番:
FEPB16BT-E3/81
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ARRAY GP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 16A 100V 35ns Dual
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FEPB16BT-E3/81 electronic components. FEPB16BT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FEPB16BT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FEPB16BT-E3/81 製品の属性

品番 : FEPB16BT-E3/81
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ARRAY GP 100V 8A TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 100V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB

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