ON Semiconductor - NTLGF3501NT2G

KEY Part #: K6420504

NTLGF3501NT2G 価格設定(USD) [202426個在庫]

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品番:
NTLGF3501NT2G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLGF3501NT2G 製品の属性

品番 : NTLGF3501NT2G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
シリーズ : FETKY™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 275pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.14W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-DFN (3x3)
パッケージ/ケース : 6-VDFN Exposed Pad

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