NTLGF3501NT2G 価格設定（USD） [202426個在庫]
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- 品番:
- NTLGF3501NT2G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTLGF3501NT2G electronic components. NTLGF3501NT2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLGF3501NT2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLGF3501NT2G 製品の属性
品番 :
NTLGF3501NT2G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
275pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.14W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-DFN (3x3)
パッケージ/ケース :
6-VDFN Exposed Pad
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