BSC0909NSATMA1 価格設定（USD） [402917個在庫]
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- 品番:
- BSC0909NSATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC0909NSATMA1 electronic components. BSC0909NSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0909NSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC0909NSATMA1 製品の属性
品番 :
BSC0909NSATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
34V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta), 44A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1110pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 27W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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