A2T18S162W31GSR3 価格設定（USD） [913個在庫]
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- 250 pcs$38.02742
- 品番:
- A2T18S162W31GSR3
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- IC TRANS RF LDMOS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. A2T18S162W31GSR3 electronic components. A2T18S162W31GSR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2T18S162W31GSR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
A2T18S162W31GSR3 製品の属性
品番 :
A2T18S162W31GSR3
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
IC TRANS RF LDMOS
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
LDMOS
周波数 :
1.84GHz
利得 :
20.1dB
電圧-テスト :
28V
定格電流 :
-
雑音指数 :
-
電流-テスト :
1A
電力出力 :
32W
電圧-定格 :
65V
パッケージ/ケース :
NI-780GS-2L2LA
サプライヤーデバイスパッケージ :
NI-780GS-2L2LA
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