Vishay Semiconductor Diodes Division - UH3D-M3/9AT

KEY Part #: K6443274

UH3D-M3/9AT 価格設定(USD) [2848個在庫]

  • 7,000 pcs$0.10147

品番:
UH3D-M3/9AT
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH3D-M3/9AT electronic components. UH3D-M3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH3D-M3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH3D-M3/9AT 製品の属性

品番 : UH3D-M3/9AT
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 2.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.05V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 40ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 42pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-5EWX06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast

  • VS-80APS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers 800 Volt 1450 Amp

  • VS-APH3006-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

  • V30120SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30120SGHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30100SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB.