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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1 electronic components. PTAB182002TCV2R250XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PTAB182002TCV2R250XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PTAB182002TCV2R250XTMA1 製品の属性
品番 :
PTAB182002TCV2R250XTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
トランジスタータイプ :
LDMOS
周波数 :
1.805GHz ~ 1.88GHz
利得 :
14.8dB
電圧-テスト :
28V
定格電流 :
10µA
雑音指数 :
-
電流-テスト :
520mA
電力出力 :
29W
電圧-定格 :
65V
パッケージ/ケース :
H-49248H-4
サプライヤーデバイスパッケージ :
H-49248H-4
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