Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C11PHRHG

KEY Part #: K6491233

BZD27C11PHRHG 価格設定(USD) [968831個在庫]

  • 1 pcs$0.03818

品番:
BZD27C11PHRHG
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHRHG electronic components. BZD27C11PHRHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZD27C11PHRHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C11PHRHG 製品の属性

品番 : BZD27C11PHRHG
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 11V
公差 : ±5.45%
パワー-最大 : 1W
インピーダンス(最大)(Zzt) : 7 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 4µA @ 8.2V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : Sub SMA

あなたも興味があるかもしれません
  • BZD27C200P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C30P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C130P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • UDZVTE-1739B

    Rohm Semiconductor

    DIODE ZENER 39V 200MW UMD2. Zener Diodes Diode Zener Sgl 39V 200mW

  • UDZVTE-172.2B

    Rohm Semiconductor

    DIODE ZENER 2.2V 200MW UMD2. Zener Diodes Diode Zener Sgl 2.2V 200mW

  • DDZ9V1CQ-7

    Diodes Incorporated

    DIODE ZENER SOD123. Zener Diodes Tight Tolerance Zen