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ON Semiconductor - HUF75639S3

KEY Part #: K6399284

HUF75639S3 価格設定（USD） [69521個在庫]

  • 1 pcs$0.56524
  • 800 pcs$0.56243
品番:
HUF75639S3
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor HUF75639S3 electronic components. HUF75639S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75639S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF75639S3 製品の属性

品番 : HUF75639S3
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
シリーズ : UltraFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 56A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 130nC @ 20V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 200W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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