BSM200GB120DN2HOSA1 価格設定（USD） [497個在庫]
- 1 pcs$93.31102
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSM200GB120DN2HOSA1 electronic components. BSM200GB120DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM200GB120DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM200GB120DN2HOSA1 製品の属性
品番 :
BSM200GB120DN2HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
290A
パワー-最大 :
1400W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
4mA
入力容量（Cies）@ Vce :
13nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- HIGFEB1BOSA1
- 2LS20017E42W36702NOSA1
- FZ1600R17KF6CB2NOSA1
- FF1800R17IP5PBPSA1
- VS-GT75LP120N
- VS-GB70NA60UF
- VS-GB100TP120U
- VS-GA100NA60UP
- MIXA40W1200TMH
- FF450R17IE4BOSA2
- CM30TF-12H
- CM100TU-12H
- CM100E3U-12H
- BSM200GD60DLCBOSA1
- CM1000DU-34NF
- APTGT150SK120TG
- APTGF50TDU120PG
- APTGF200A120D3G
- APT50GT120JU2
- F3L400R07ME4B23BOSA1
- VII25-12P1
- FF300R12KS4PHOSA1
- APT60GT60JR
- APT50GT120JRDQ2
- FMG1G100US60L
- FMS6G15US60
- HGT1N40N60A4D
- FF225R17ME3BOSA1
- FD400R12KE3HOSA1
- FF200R17KE3S4HOSA1
- BSM150GB60DLCHOSA1
- BSM30GD60DLCBOSA1
- FP25R12KT3BOSA1
- DDB2U50N08W1RB23BOMA2
- FP20R06YE3B4BOMA1
- FS35R12W1T4BOMA1
- APT40GP90J
- FS25R12W1T4B11BOMA1
- APT50GP60JDQ2
- APTGT50H120TG