Infineon Technologies - IRLML0100TRPBF

KEY Part #: K6421334

IRLML0100TRPBF 価格設定(USD) [464263個在庫]

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品番:
IRLML0100TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML0100TRPBF 製品の属性

品番 : IRLML0100TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 290pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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