DD750S65K3NOSA1 価格設定（USD） [39個在庫]
- 1 pcs$890.87720
- 品番:
- DD750S65K3NOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 6500V 750A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DD750S65K3NOSA1 electronic components. DD750S65K3NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DD750S65K3NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DD750S65K3NOSA1 製品の属性
品番 :
DD750S65K3NOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 6500V 750A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
2 Independent
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
6500V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
-
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.5V @ 750A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1100A @ 3600V
動作温度-ジャンクション :
-50°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
A-IHV130-6
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