Infineon Technologies - IPB90N04S402ATMA1

KEY Part #: K6419033

IPB90N04S402ATMA1 価格設定(USD) [88370個在庫]

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品番:
IPB90N04S402ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB90N04S402ATMA1 製品の属性

品番 : IPB90N04S402ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 95µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9430pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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