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Microsemi Corporation - JAN1N5811US

KEY Part #: K6427766

JAN1N5811US 価格設定（USD） [9400個在庫]

  • 1 pcs$4.66293
  • 100 pcs$4.63973
品番:
JAN1N5811US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HR SM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5811US electronic components. JAN1N5811US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5811US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5811US 製品の属性

品番 : JAN1N5811US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 150V
電流-平均整流（Io） : 6A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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