1N5407GHB0G 価格設定（USD） [1146094個在庫]
- 1 pcs$0.03227
- 品番:
- 1N5407GHB0G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GHB0G electronic components. 1N5407GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5407GHB0G 製品の属性
品番 :
1N5407GHB0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 3A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
25pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-201AD
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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