TSM1NB60CW RPG 価格設定（USD） [494141個在庫]
- 1 pcs$0.07485
- 品番:
- TSM1NB60CW RPG
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW RPG electronic components. TSM1NB60CW RPG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM1NB60CW RPG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM1NB60CW RPG 製品の属性
品番 :
TSM1NB60CW RPG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
138pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
39W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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