Vishay Semiconductor Opto Division - VEMT2020X01

KEY Part #: K7359527

VEMT2020X01 価格設定(USD) [370455個在庫]

  • 1 pcs$0.10034
  • 6,000 pcs$0.09984
  • 12,000 pcs$0.09836
  • 30,000 pcs$0.09615

品番:
VEMT2020X01
メーカー:
Vishay Semiconductor Opto Division
詳細な説明:
PHOTOTRANSISTOR NPN GULLWING. Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-15 deg
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、太陽電池, モーションセンサー-チルトスイッチ, フロート、レベルセンサー, 温度センサー-アナログおよびデジタル出力, ダストセンサー, 力センサー, イメージセンサー、カメラ and センサーケーブル-アクセサリーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Opto Division VEMT2020X01 electronic components. VEMT2020X01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VEMT2020X01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VEMT2020X01 製品の属性

品番 : VEMT2020X01
メーカー : Vishay Semiconductor Opto Division
説明 : PHOTOTRANSISTOR NPN GULLWING
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 20V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 50mA
電流-ダーク(Id)(最大) : 100nA
波長 : 860nm
視野角 : 30°
パワー-最大 : 100mW
取付タイプ : Surface Mount
オリエンテーション : Top View
動作温度 : -40°C ~ 100°C (TA)
パッケージ/ケース : 2-SMD, Gull Wing

あなたも興味があるかもしれません
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.