メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC DVR HI SIDE/DUAL LOW 20-SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 3.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
500mA, 500mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
25ns, 15ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
20-SOIC