Renesas Electronics America Inc. - HIP2101IR4Z

KEY Part #: K1223535

HIP2101IR4Z 価格設定(USD) [44742個在庫]

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品番:
HIP2101IR4Z
メーカー:
Renesas Electronics America Inc.
詳細な説明:
IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN. Gate Drivers 100V H-BRDG DRVR 12LD
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, インターフェース-I / Oエクスパンダー, PMIC-ゲートドライバー, ロジック-ゲートとインバーター, インターフェース-信号バッファー、リピーター、スプリッター, インターフェース-特化, リニア-コンパレータ and ロジック-ユニバーサルバス機能を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Renesas Electronics America Inc. HIP2101IR4Z electronic components. HIP2101IR4Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HIP2101IR4Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HIP2101IR4Z 製品の属性

品番 : HIP2101IR4Z
メーカー : Renesas Electronics America Inc.
説明 : IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
駆動構成 : Half-Bridge
チャンネルタイプ : Independent
ドライバー数 : 2
門型 : N-Channel MOSFET
電圧-供給 : 9V ~ 14V
ロジック電圧-VIL、VIH : 0.8V, 2.2V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) : 2A, 2A
入力方式 : Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) : 114V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) : 10ns, 10ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 12-VFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 12-DFN (4x4)
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