SISS27ADN-T1-GE3 価格設定（USD） [230853個在庫]
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- 品番:
- SISS27ADN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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SISS27ADN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SISS27ADN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
シリーズ :
TrenchFET® Gen III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
55nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4660pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
57W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8S
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