IRFHS8342TRPBF 価格設定（USD） [535141個在庫]
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- 品番:
- IRFHS8342TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHS8342TRPBF electronic components. IRFHS8342TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHS8342TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHS8342TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFHS8342TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.8A (Ta), 19A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSDSON-6
パッケージ/ケース :
6-PowerVDFN
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