Toshiba Semiconductor and Storage - RN2309(TE85L,F)

KEY Part #: K6526897

[3011個在庫]


    品番:
    RN2309(TE85L,F)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2309(TE85L,F) electronic components. RN2309(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2309(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN2309(TE85L,F) 製品の属性

    品番 : RN2309(TE85L,F)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    抵抗-ベース(R1) : 47 kOhms
    抵抗-エミッターベース(R2) : 22 kOhms
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
    頻度-遷移 : 200MHz
    パワー-最大 : 100mW
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
    サプライヤーデバイスパッケージ : USM

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