ON Semiconductor - MMUN2113LT1G

KEY Part #: K6528415

MMUN2113LT1G 価格設定(USD) [4311730個在庫]

  • 1 pcs$0.00858
  • 3,000 pcs$0.00826
  • 6,000 pcs$0.00745
  • 15,000 pcs$0.00648
  • 30,000 pcs$0.00583
  • 75,000 pcs$0.00518
  • 150,000 pcs$0.00432

品番:
MMUN2113LT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor MMUN2113LT1G electronic components. MMUN2113LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMUN2113LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMUN2113LT1G 製品の属性

品番 : MMUN2113LT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 47 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : -
パワー-最大 : 246mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)

あなたも興味があるかもしれません
  • FJN4302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • BCR198E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3.

  • BCR183E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3.

  • UNR211V00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3.

  • BCR533E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3.

  • UNR221M00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.