STMicroelectronics - STGYA120M65DF2

KEY Part #: K6422328

STGYA120M65DF2 価格設定(USD) [7805個在庫]

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品番:
STGYA120M65DF2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGYA120M65DF2 製品の属性

品番 : STGYA120M65DF2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
シリーズ : *
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT, Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 160A
電流-パルスコレクター(Icm) : 360A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 120A
パワー-最大 : 625W
スイッチングエネルギー : 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 420nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 66ns/185ns
試験条件 : 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 202ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3 Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : MAX247™