Infineon Technologies - BSM100GB120DLCHOSA1

KEY Part #: K6534427

BSM100GB120DLCHOSA1 価格設定(USD) [694個在庫]

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品番:
BSM100GB120DLCHOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GB120DLCHOSA1 製品の属性

品番 : BSM100GB120DLCHOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 MED POWER 62MM-1
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
パワー-最大 : 830W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : -
電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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