IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3577S80PFG8

KEY Part #: K939879

71V3577S80PFG8 価格設定(USD) [27110個在庫]

  • 1 pcs$1.69874
  • 1,000 pcs$1.69029

品番:
71V3577S80PFG8
メーカー:
IDT, Integrated Device Technology Inc
詳細な説明:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-シリアライザー、デシリアライザー, PMIC-現在の規制/管理, インターフェース-音声録音と再生, PMIC-LEDドライバー, インターフェース-信号バッファー、リピーター、スプリッター, ロジック-トランスレーター、レベルシフター, インターフェース-センサーと検出器のインターフェース and リニア-コンパレータを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80PFG8 electronic components. 71V3577S80PFG8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3577S80PFG8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V3577S80PFG8 製品の属性

品番 : 71V3577S80PFG8
メーカー : IDT, Integrated Device Technology Inc
説明 : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : SRAM
技術 : SRAM - Synchronous
メモリー容量 : 4.5Mb (128K x 36)
クロック周波数 : 100MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : 8ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 3.135V ~ 3.465V
動作温度 : 0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 100-LQFP
サプライヤーデバイスパッケージ : 100-TQFP (14x14)
あなたも興味があるかもしれません
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W949D2DBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm