ON Semiconductor - NGTD9R120F2SWK

KEY Part #: K6425042

NGTD9R120F2SWK 価格設定(USD) [161647個在庫]

  • 1 pcs$0.22882
  • 1,035 pcs$0.18064

品番:
NGTD9R120F2SWK
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NGTD9R120F2SWK electronic components. NGTD9R120F2SWK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD9R120F2SWK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTD9R120F2SWK 製品の属性

品番 : NGTD9R120F2SWK
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.6V @ 15A
速度 : -
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.