Micron Technology Inc. - MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F 価格設定(USD) [11338個在庫]

  • 1 pcs$4.04103

品番:
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
メーカー:
Micron Technology Inc.
詳細な説明:
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ. Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR2 6G
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、メモリー-バッテリー, PMIC-ホットスワップコントローラー, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, PMIC-電圧レギュレータ-特別な目的, データ収集-デジタルポテンショメータ, 組み込み-マイクロコントローラー付きFPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ), インターフェース-I / Oエクスパンダー and 組み込み-DSP(デジタルシグナルプロセッサ)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F electronic components. MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F 製品の属性

品番 : MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
メーカー : Micron Technology Inc.
説明 : IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH, RAM
技術 : FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
メモリー容量 : 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
クロック周波数 : 533MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : -
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.8V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : -
パッケージ/ケース : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -

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