IXYS - VUO52-18NO1

KEY Part #: K6539824

VUO52-18NO1 価格設定(USD) [3115個在庫]

  • 1 pcs$14.67041
  • 24 pcs$14.59742

品番:
VUO52-18NO1
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
BRIDGE RECT 3P 1.8KV 54A V1-A. Bridge Rectifiers 52 Amps 1800V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS VUO52-18NO1 electronic components. VUO52-18NO1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VUO52-18NO1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VUO52-18NO1 製品の属性

品番 : VUO52-18NO1
メーカー : IXYS
説明 : BRIDGE RECT 3P 1.8KV 54A V1-A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Three Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 1.8kV
電流-平均整流(Io) : 54A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.13V @ 20A
電流-Vrでの逆漏れ : 40µA @ 1800V
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : V1-A
サプライヤーデバイスパッケージ : V1-A

あなたも興味があるかもしれません
  • GBPC1208W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 100 Volt 15 Amp Glass Passivated

  • GBPC1210W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1202W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • B80C800G-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG. Bridge Rectifiers 0.9 Amp 125 Volt

  • B380C800G-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 900MA WOG. Bridge Rectifiers 0.9 Amp 600 Volt